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2026 / 02 / 15 · 周日

日报

记录不判断 · 收录范围:2026-02-15
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今日头条

存储芯片价格预期大幅上涨,2026年底涨幅或达130% 重大

根据Gartner最新分析,全球内存芯片价格预计在2026年底前累积上涨130%,主要驱动因素包括数据中心AI算力需求激增、HBM等高端芯片产能紧张、以及三星/SK海力士/美光的产能扩张滞后。这将直接推高终端设备成本,特别是高端手机和AI设备。

Gartner,2026-02-15
L5 应用与终端 2 条

三星Galaxy S26泄露新配色方案,预订优惠还未确认

爆料者曝光三星Galaxy S26将推出新的配色选项,包括雅典灰、海岛蓝、樱花粉等变体。预订阶段的赠送配件和折扣尚未被官方确认,预计MWC 2026期间公布完整信息。

GSMArena,2026-02-15

荣耀MWC 2026前期预热升温,Magic V6和机器人手机备受期待

荣耀官方通过社交媒体释放Magic V6和折叠屏机器人手机的预告海报,暗示将在MWC 2026(3月2-5日巴塞罗那)亮相。官方强调两款产品在终端AI能力上的重大升级,目前具体参数和发布日期仍未透露。

荣耀官网,2026-02-15
L4 模型 1 条

DeepSeek V4仍未发布,2月多个发布窗口已错过

DeepSeek官方尚未宣布V4版本发布日期,社区预期的1月、2月上旬和中旬多个潜在发布窗口已相继错过。目前尚不明确是否存在技术瓶颈、政策延审还是战略调整。下一个预期发布窗口为2月底或3月初。

DeepSeek社区讨论,2026-02-15
L3 基础设施 1 条

全球数据中心规划产能创纪录:46个设施、56GW联合电力基础设施

根据产业追踪数据,全球主要科技公司(包括Meta、Google、Amazon、Microsoft等)规划中的数据中心设施已达46个,总规划功率容量为56GW。这些设施中大约70%计划部署专属电力基础设施(包括核能、地热、太阳能),以满足AI训练和推理的持续增长需求。

IEA能源报告,2026-02-15
L2 芯片 1 条

内存价格预期2026年底突破历史高位,现货溢价已现苗头

存储芯片(DRAM和NAND Flash)现货价格在春节后出现异动,主要因数据中心HBM(高带宽内存)需求旺盛而标准产能相对饱和。业界预计到2026年底,DRAM均价可能累积涨幅130%,NAND Flash涨幅在80-100%之间。这将传导至终端手机的成本端。

Gartner,2026-02-15
宏观 1 条

中国春节经济复苏,全国经济活动恢复常态

中国春节假期结束后,各行业经济活动已逐步恢复至常规水平。工业生产、物流、贸易流量等主要经济指标显示强劲复苏态势,为今年上半年的设备制造和出货奠定基础。

新华社,2026-02-15
信号跟踪
全球手机出货量下调+存储涨价
芯片价格预期大幅上涨至130%,成本压力加剧
升级
推理专用芯片分化
DeepSeek V4仍未发布,时间不确定
延续
AI数据中心能源约束
46个设施56GW产能规划,70%配套专属电力
升级